W35T51NWTB(512兆比特)八通道双倍数据速率(DDR)串行闪存具有Xccela闪存总线接口，可为嵌入式应用的代码和数据存储内存解决方案提供最高的同步字节宽度(8位)数据带宽。35T系列在低信号数量的情况下实现了最高性能，其灵活性和突发速度优于外部同步总线接口上的嵌入式内存执行。它非常适合直接从八通道DDR串行闪存执行代码，也可用于数据存储。该器件使用单一的1.65V至2.0V电源供电，在掉电模式下的电流消耗低至1 微安。

W35T51NWTB支持标准串行外设接口(SPI)、8位I/O(八通道)接口以及双倍数据速率(DDR)，包括串行时钟(CLK)、片选(/CS)、串行数据(IO7、IO6、IO5、IO4、IO3、IO2(/WP)、IO1、IO0)、复位(/Reset)和用于BGA封装的数据选通(DS)。支持高达200MHz的时钟频率，DDR数据选通功能使八通道DDR I/O读取命令的等效时钟速率达到400MHz×8。其传输速率优于传统的同步SPI/双SPI/四SPI内存以及标准的异步8位和16位并行闪存。

对于读取操作，非易失性和易失性配置寄存器值可控制器件的操作设置，如I/O模式配置、伪时钟周期数、环绕模式配置、输出缓冲驱动强度、地址模式配置以及就地执行(XIP)模式设置。在DDR I/O模式下，数据在时钟的上升沿和下降沿通过八条数据线传输，传统的8位(字节)SPI命令仅需一个时钟周期即可锁存命令操作码。数据选通(DS)引脚在以高达最大频率(200MHz)的DDR速度锁存数据时可优化器件的操作。

W35T51NWTB内存阵列由256字节的可编程页面组成，同时还有可擦除的4KB扇区、32KB/64KB块或整个芯片。共有262,144个可编程页面，一次可对1至256字节进行编程。页面可以按16个一组(4KB扇区擦除)、128个一组(32KB块擦除)、256 个一组(64KB块擦除)进行擦除，也可以擦除整个芯片(芯片擦除)。W35T51NWTB分别有16,384个可擦除的4KB扇区和1,024个可擦除的64KB块。小的4KB扇区有利于需要配置和参数数据存储的应用。暂停和恢复命令提供了临时暂停和恢复编程或擦除操作的方法。

W35T51NWTB有三个独立于主内存的1KB安全寄存器，用户可以对其进行读取、编程、擦除或永久锁定。写保护(/WP)引脚是一个可编程选项，用于防止对状态寄存器进行写入操作。通过传统的状态寄存器块保护位提供内存保护功能。该器件支持JEDEC标准的制造商和器件ID，还有额外的3字节器件ID配置。此外，该器件还支持JEDEC串行闪存数据参数(SFDP)。

启用纠错码(ECC)的W35T51NWTB具有与ECC和复位功能相关的额外特性。这些特性可在高要求的工业和汽车操作环境中支持并增强器件性能。W35T51NWTB支持每16字节对齐的1位ECC，并提供内部ECC状态以及一个外部引脚来监测ECC错误。还提供了一个复位状态输出引脚，用于监测启动的硬件复位和软件复位状态。

特点

• 新型八通道DDR串行闪存

– 512兆比特/64兆字节

• 支持的同步总线接口

– 字节宽度(x8)复用同步I/O

– 单数据速率(SDR)和双倍数据速率(DDR)

– DDR总线模式

– 八通道双倍数据速率(ODDR)协议：时钟(CLK)、片选(/CS)、输入输出引脚(IO [7:0])、数据选通(DS)、复位(/Reset)

– 扩展SPI(SDR总线模式)

– 八通道SPI(OSPI）和OSPI DDR协议：时钟(CLK)、片选(/CS)、输入输出引脚(IO [7:0])、写保护(/WP)、复位(/Reset)

– 标准SPI协议(SPI)：时钟(CLK)、片选(/CS)、输入输出引脚(IO0、IO1)、写保护(/WP)、复位(/Reset)

• 时钟频率

– SDR模式下最大166MHz(166MB/s)

– 借助数据选通(DS)，DDR模式下最大200MH(400MB/s)

• 通过易失性和非易失性寄存器设置的读取模式

– 在标准命令+地址+伪周期(C-A-D)输入后进行连续读取数据突发

– 就地执行(XIP)，在地址+伪周期(A-D)输入后进行连续读取数据突发

– 在C-A-D输入后，进行16/32/64字节环绕读取数据突发

• 片上纠错码(ECC)

– 每16字节纠正1位错误

– 内部ECC状态位错误指示器

– 中断输出引脚标志(/INT)，用于在读取期间监测错误

• 地址模式

– 3字节和4字节寻址模式，用于访问大于128Mb的内存地址

• 低功耗、宽温度范围

– 单一1.65至2.0V电源

– 读取电流典型值40mA

– 待机掉电电流典型值小于15微安

– 掉电电流典型值小于1微安

– 工作温度范围为-40°C至+85/+105°C

• 高性能串行闪存

– 最少100,000次编程-擦除周期

– 数据保留时间超过20年

• 具有4KB扇区的灵活内存架构

– 统一的扇区/块擦除(4K/32K/64K字节)

– 擦除整个芯片(芯片擦除)

– 每个可编程页面编程1至256字节

– 擦除/编程暂停和恢复

• 上电状态检测

– 故障/安全上电硬件监测(/INT)

– 寄存器上的故障/安全上电状态(忙位/就绪标志)

• 复位选项

– 硬件复位(/Reset)

– JEDEC硬件复位

– 软件复位

– 复位输出引脚(/RSTO)

• 安全寄存器

– 三个1KB的安全寄存器

– 可读取

– 可编程、可擦除，并带有锁定选项

– 永久锁定选项

• 数据完整性检查

– 静态时的循环冗余校验(CRC)，用于检查原始数据的意外更改

– 数据传输过程中的循环冗余校验(CRC)，用于监测高速数据传输期间的数据完整性

• 内存保护

– 通过块保护和顶部/底部状态寄存器位进行保护范围控制的硬件写保护

• 设备ID

– 6字节的JEDEC读取ID

• 唯一ID

– 16字节的唯一ID

• 串行闪存发现参数(SFDP)

– 1KB的SFDP

• 节省空间的封装

– 24引脚薄型球栅阵列(TFBGA)，尺寸为8x6毫米

内部框图

昂科技术凭借深厚的技术积累，自主打造的AP8000万用烧录器堪称行业标杆级烧录解决方案。该设备支持灵活的一拖一及一拖八配置，同时提供在线、离线两种工作模式，还针对eMMC、UFS存储芯片开发了专属烧录方案，可全方位华邦电子（Winbond）全系列芯片的裸片离线烧录与在板烧录需求。AP8000由主机、底板、适配座三大核心模块构成，这种模块化设计赋予其卓越的兼容性与扩展性。作为通用型烧录平台，AP8000不仅能适配市面上各类可编程芯片，更凭借稳定高效的性能，成为十大编程器品牌昂科批量烧录设备IPS5800S的核心组件，可高效处理大规模芯片烧录任务。

AP8000主机具备灵活的连接方式，同时配备USB和NET接口，可实现多台编程器的便捷组网。通过组网功能，用户能够轻松实现多台编程器的同步控制，高效开展并行烧录作业。在安全性方面，主机内置智能安全保护电路，可实时监测芯片放置状态与电路连接情况，一旦检测到芯片反插、短路等异常，将立即触发断电保护机制，全方位守护芯片和编程器的安全运行。主机内部搭载高速FPGA芯片，大幅提升数据传输与处理效率，确保烧录过程流畅高效。为增强使用便捷性，主机背部设置SD卡槽，用户只需将PC端生成的工程文件存储至SD卡，并插入卡槽，即可通过编程器实体按键完成文件选择、加载与烧录操作，实现脱离PC的独立运行。这一设计不仅降低了对计算机硬件配置的依赖，还简化了工作环境搭建流程，显著提升操作灵活性。

在扩展性与兼容性上，AP8000采用底板与适配板模块化组合设计，有效拓展主机功能边界。目前，该设备已实现对全主流半导体厂商产品的支持，覆盖SINOWEALTH, SemiDrive, winbond, holychip, ESMT等知名品牌。其支持器件类型广泛，涵盖NAND, NOR, MCU, CPLD, FPGA, EMMC等，并全面兼容Intel Hex, Motorola S, Binary, POF等多种行业标准文件格式，为用户提供一站式、全场景的芯片烧录解决方案。

关于华邦电子：华邦电子（Winbond）成立于1987年9月，1995年正式于台湾证券交易所挂牌上市。华邦为全球少数同时拥有内存及逻辑集成电路之自有产品及技术的公司，从产品设计、技术研发、晶圆制造到自有品牌营销全球，致力于提供全球客户全方位集成电路产品及解决方案服务。核心产品包含编码型闪存、TrustME® 安全闪存、客制化内存解决方案，并提供多样化的逻辑集成电路产品及解决方案。产品应用于手持装置应用、消费电子及计算机周边市场，亦布局于车用和工业用电子等高门坎且高质量要求的领域。

关于昂科技术：昂科技术（ACROVIEW）是全球领先的半导体芯片烧录解决方案提供商，公司坚持以科技改变世界、用智能驱动未来，持续不断的为客户创造价值。昂科的AP8000通用烧录器平台及最新的IPS5800S烧录自动化解决方案，为半导体和电子制造领域客户提供一站式解决方案，公司已服务包括华为、比亚迪、富士康等全球领先客户。