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昂科烧录器支持KIOXIA铠侠的电可擦除可编程只读存储器TH58NVG4S0HTAK0

时间:2024-06-25   访问量:1113

芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表,其中KIOXIA铠侠的电可擦除可编程只读存储器TH58NVG4S0HTAK0已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。

TH58NVG4S0HTAK0是一个单一的3.3V 16Gbit(18253611008位)NAND电可擦除可编程只读存储器(NAND E²PROM),组织为(4096+256)字节×64页×8192块。该设备有两个4352字节的静态寄存器,允许以4352字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块单元(256千字节+16千字节:4352字节×64页)实现。

TH58NVG4S0HTAK0是一种串行型存储设备,利用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,使设备最适合固态文件存储、语音记录、静止摄像机的图像文件存储器和其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。

 

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特征

• 组织

– 存储单元阵列:4352x128Kx8x4

– 寄存器:4352x8

– 页大小:4352字节

– 块大小:(256K+16K)字节

• 模式

– 读取、重置、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页编程、多块擦除、多页复制、多页读取

• 模式控制

– 串行输入/输出

– 命令控制

• 有效块数

– 最小8032块

– 最大8192块

• 电源供应

– VCC=2.7V至3.6V

• 访问时间

– 存储单元阵列到寄存器:最大25微秒

– 读取周期时间:最小25纳秒(CL=50pF)

• 编程/擦除时间

– 自动页编程:每页典型300微秒

– 自动块擦除:每块典型2.5毫秒

• 工作电流

– 读取(25纳秒周期):最大30毫安

– 编程(平均):最大30毫安

– 擦除(平均):最大30毫安

– 待机:最大200微安

• 封装

– TSOP I 48-P-1220-0.50(重量:典型0.56克)

• 要求:每512字节需要8位ECC

 

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内部框图

 

昂科技术自主研发的AP8000万用烧录器包含主机,底板,适配座三大部分。

 

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主机支持USB和NET连接,允许将多台编程器进行组网,达到同时控制多台编程器同时烧录的目的。内置芯片安全保障电路保证即使芯片放反或其他原因造成的短路可以被立即检测到并进行断电处理,以保障芯片和编程器安全。内嵌高速FPGA,极大地加速数据传输和处理。主机背部有SD卡槽,将PC软件制作得到的工程文件放到SD卡的根目录下并插入到该卡槽内,通过编程器上的按键可进行工程文件的选择,加载,执行烧录等命令,以达到脱离PC便可操作的目的,极大地降低了PC硬件配置成本,方便迅速地搭配工作环境。

AP8000通过底板加适配板的方式,让主机扩展性更强,目前已经支持了所有主流半导体厂家生产的器件,包括TI, ST, MicroChip, Atmel, Hynix , Macronix, Micron, Samsung ,Toshiba等。支持的器件类型有NAND,NOR,MCU,CPLD,FPGA,EMMC等,支持包括Intel Hex,Motorola S, Binary, POF等文件格式。

 

公司介绍

关于铠侠:铠侠(KIOXIA)是全球存储器解决方案领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存, 2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离,开创了先进的存储解决方案和服务,可丰富人们的生活并扩大社会的视野。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™,正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

 

关于昂科技术:昂科技术(ACROVIEW)是全球领先的半导体芯片烧录解决方案提供商,公司坚持以科技改变世界、用智能驱动未来,持续不断的为客户创造价值。昂科的AP8000通用烧录器平台及最新的IPS5000烧录自动化解决方案,为半导体和电子制造领域客户提供一站式解决方案,公司已服务包括华为、比亚迪、富士康等全球领先客户。

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