一周芯资讯

5月22日消息，长安汽车与宁德时代成立了电芯合资公司，从事动力电芯生产制造，年产能将达到25Gwh。预计上半年公司注册落地，年内投产。

5月22日消息，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。

5月22日消息，黑芝麻智能宣布获得一汽红旗下一代FEEA3.0电子架构平台项目量产智驾芯片定点。基于黑芝麻智能华山®二号A1000L系列芯片，一汽红旗将打造非分时复用的高性价比行泊一体自动驾驶域控平台。该平台将应用于一汽红旗80%左右车型。同时，双方基于黑芝麻智能A1000L芯片研发的合作车型一汽红旗E001和E202，最快2024年量产落地。

5月22日消息，Cadence在2023年TSMC北美技术研讨会期间发布了面向台积电3nm工艺(N3E)的112G超长距离(112G-ELR)SerDes IP展示，这是Cadence 112G-ELR SerDes IP系列产品的新成员。在后摩尔时代的趋势下，FinFET晶体管的体积在TSMC 3nm工艺下进一步缩小，进一步采用系统级封装设计(SiP)。通过结合工艺技术的优势与Cadence业界领先的数字信号处理(DSP)SerDes 架构，全新的112G-ELR SerDes IP可以支持45dB插入损耗，拥有卓越的功耗、性能、面积(PPA)指标，是超大规模ASICs，人工智能/机器学习(AI/ML)加速器，交换矩阵片上系统(SoCs)和5G基础设施应用的理想选择。

5月22日消息，美光宣布推出两款固态硬盘(SSD)-美光 6500 ION NVMe SSD及美光XTR NVMe SSD。这两款产品通过降低运营成本并提高存储效率，为数据中心带来更多竞争优势，以应对当今数据量急剧增长的趋势。美光6500 ION是一款大容量的SSD，能提供卓越的性能，并使数据中心更节能，比基于QLC的竞品SSD 具备更高价值。由于美光采用232层技术节点，优于竞争对手的200层以下QLC技术，6500 ION SSD能在提供TLC性能的同时与QLC的成本相媲美。美光XTR SSD 则是一款超高耐用型产品，与美光6500 ION或其他 SSD搭配使用可大幅提升系统性能。

5月22日消息，俄罗斯微电子厂商Aquarius表示，将于2026年开始为电信和电子制造商提供自主研发的RISC-V处理器，计划在俄罗斯和国外的代工厂进行制造。

5月22日消息，国芯科技和问天量子、文芯科技签署了战略合作协议，三方合作成立量子芯片联合实验室。依托于该联合实验室，国芯科技和问天量子等将共同开展量子密码芯片的研发和产业化应用。

5月22日消息，云途半导体的车规级MCU产品-YTM32B1M系列通过了德国C&S的CAN总线(含CAN-FD)一致性测试(Conformance Tests)和鲁棒性测试(Robustness Tests)，这意味着YTM32B1M系列MCU集成的CAN/FD控制器可以稳定可靠地与其它获取该认证的任意CAN节点实现互联互通，自由组网，保证整车网络通信的稳定性和可靠性。

5月22日消息，晶合集成110nm面板驱动芯片(DDIC)已于近期完成汽车12.8英寸显示屏总成可靠性测试。车用110nm显示驱动芯片(DDIC)基于已量产的消费型110nm显示驱动平台为基础开发，通过更严格的制程、品质管控提升组件稳定度，同时微缩后段金属层加快组件速度，以满足车载规格需求。

5月22日消息，日本理化研究所RIKEN宣布与英特尔签署了合作谅解备忘录，以加强双方在AI、高性能计算、量子计算机等下一代计算领域的联合研究。签署的合作备忘录中还包括，日本理化研究所将获得英特尔的芯片代工服务，以帮助原型芯片流片。

5月22日消息，兴威帆电子宣布车规级超小封装(3.2mm×2.5mm×0.75mm)RTC芯片SD3900全新上市。SD3900是一款内置晶振、支持全温度补偿和采用超小封装技术的实时时钟芯片，不同于传统晶振陶瓷封装或基于基板SIP封装的RTC芯片，SD3900采用目前先进的半导体封装技术，封装过程无任何键合点、焊接点及粘结材料，0分层，达到MSL1级标准。

5月22日消息，英伟达宣布已与英国研究人员和慧与科技合作，建立了一台名为Isambard 3的超级计算机，该计算机基于其Grace CPU芯片，没有英伟达GPU。

5月22日消息，美国半导体和显示设备供应商应用材料公司表示，该公司计划投资40亿美元在硅谷中心地带建立一研究中心，旨在促进全球半导体和计算行业所需基础技术的开发和商业化。应用材料表示将在7年内向新设施投资，并希望美国政府通过《芯片法案》提供补贴。

5月22日消息，英国科学、创新和技术部宣布了一项国家半导体战略，表示将在未来十年投资至多10亿英镑(约合12.4亿美元)，以推动英国半导体产业的发展。其中，从2023年到2025年将斥资至多2亿英镑(约合2.48亿美元)，用于改善基础设施，增加研究和开发，并鼓励海外合作。

5月22日消息，杭州地芯科技发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA-GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多频功率放大器模块(MMMB PAM)，它应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat1.物联网设备，支持的多频段多制式应用。本模块还支持可编程MIPI控制。

5月22日消息，艾为电子自主研发的国内首款内置MCU作为主控核心的光学防抖(OIS)和对焦(AF)控制驱动芯片产品客户端量产，该产品基于软硬件结合的SOC设计方法，从底层硬件到上层算法全面覆盖，实现图像及视频光学防抖的全套解决方案。公司基于已量产的集成式OIS产品，再度实现技术突破，目前已研发完成分立式OIS控制驱动芯片产品。该产品片内集成霍尔传感器；集成14bit高精度ADC，实现对片内霍尔信号的精确采样；内置PID算法。

5月22日消息，美国美满电子科技公司(Marvell)宣布在越南胡志明市成立“世界领先”的集成电路设计中心。该中心的前身是位于胡志明市第七郡新顺出口加工区的美满(越南)技术有限责任公司。通过此次升级，美满(越南)将成为美满集团在世界上四大研发中心之一，将成为越南技术工程师的理想工作场所。美国芯片设计厂商Marvell继去年10月宣布裁撤大部分中国研发团队之后，已决定将剩余的中国研发团队全部裁撤掉。

5月23日消息，台积电凭借其sub-7nm工艺制造，在对生成式人工智能应用需求激增的情况下赢得了大量人工智能芯片订单。

5月23日消息，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher公布了在技术领域的关键进展、路线图，重点之一便是发布“堆叠式CFET场效应管架构”，这是GAA FET的最新形态，体积更小，有望进一步延续摩尔定律，在1nm以下芯片中实现更高的晶体管密度。

5月23日消息，日本经济产业省公布了外汇法法令修正案，将先进芯片制造设备等23个品类追加列入出口管理的管制对象，该计划涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外(EUV)相关产品的制造设备和三维堆叠存储元件的蚀刻设备等，将在7月23日实行。

5月23日消息，三星电子第二季度的DRAM芯片出货量预估环比增加约15%-20%，扭转第一季度环比下滑10%左右的颓势。SK海力士第二季度DRAM芯片环比预料增加30%-50%，高于市场共识的20%。

5月23日消息，英飞凌将领导一个名为ALL2GaN的欧洲联合科研项目，开发从芯片到模块的集成氮化镓(GaN) 功率设计。这一项目将有45家合作伙伴共同参与，包括比利时研究和工艺开发实验室imec、Nexperia、爱立信等。项目预算6000万欧元，为期三年，旨在利用人工智能加强GaN功率技术，以各种方式集成GaN芯片。这一项目成果将使欧洲芯片更快地集成到电信、数据中心和服务器场等应用中。

5月23日消息，荷兰初创公司Axelera AI完成新一轮融资，累计为其存内计算、基于RISC-V的边缘人工智能技术筹集了5000万美元，并设立了硅谷办事处。该公司开发了一种名为Metis的人工智能处理单元(AIPU)芯片，基于12纳米CMOS工艺设计，配备了四个同质AI内核，为完整的神经网络推理加速而构建，采用RISC-V架构的数据流控制单元，以及基于存内计算的大型矩阵向量乘法阵列，存内计算和RISC-V控制数据流技术的结合，使其可以满足对高能效要求苛刻的边缘推理应用程序。

5月23日消息，根据中国海关的最新数据，今年4月，中国从新加坡进口了价值4.07亿美元的芯片制造设备，创造了8个月以来的最高水平，比3月份增长了9.6%。

5月23日消息，英特尔Agilex 7 M-Series FPGA芯片现在已经正式出货。这款可编程芯片采用R-Tile架构，封装了多个小晶片，同时也是世界上首款具备PCIe 5.0以及CXL总线的FPGA芯片，带来高速的连接性能。

5月23日消息，英特尔计划于2025年推出的一款人工智能(AI)运算芯片。即将推出的“Falcon Shores”芯片将拥有288GB内存，并支持8位浮点运算。AMD预计也将推出名为MI300的芯片以挑战英伟达。

5月24日消息，泓浒半导体宣布完成了数亿元A+轮战略股权融资。本轮融资所募资金将用于加快产品研发、扩大运营规模、加强国际和国内销售市场开拓与布局等，夯实并不断提升泓浒半导体在全球半导体设备零部件领域的综合竞争实力。

5月24日消息，苹果宣布与博通达成一项为期多年、价值数十亿美元的新协议，以在美国为其设备生产几个关键零部件。根据新协议，博通将负责开发包括FBAR滤波器在内的5G射频组件以及尖端无线连接组件。FBAR过滤器将在几个关键的美国制造和技术中心设计和制造，包括博通位于科罗拉多州柯林斯堡的一个主要工厂。

5月24日消息，激光雷达厂商禾赛科技公布了2023年第一季度未经审计的财务数据，实现营收4.3亿元，同比增长73%；毛利率为 37.8%，相较去年第四季度环比增长 7.8%。此外，禾赛科技本季度实现盈利，调整后净利润及经营现金流均转正。

5月24日消息，韩国企业东进世美肯在EUV光刻胶的研发上取得了新突破，其光学灵敏度得到了提升，有助于加快芯片生产的速度。东进世美肯改进了其光刻胶的分辨率、线宽粗糙度、灵敏度。在灵敏度方面，其EUV光刻胶曝光所需要的能量从2020年的80mj/cm2，降低到了如今的40mj/cm2至50mj/cm2之间，灵敏度几乎提高了一倍。

5月24日消息，荷兰半导体晶圆加工设备商ASM宣布将加大对韩国的投资，投资1亿美元建设其在韩第二个制造研发和创新中心，位于京畿道华城市。

5月24日消息，日本东京大学最近与爱德万测试启动了设计尖端半导体的联合研究，计划设计电路宽度在7纳米以下的半导体，委托台积电代工。

5月24日消息，据DMASS成员报告，第一季度总销售额增长15.2%，达到59亿欧元。其中，半导体在第一季度增长22.9%，达到40.8亿欧元；而互连、无源和机电组件的销售数字出人意料地强劲，超过了2022年的纪录，增长0.9%，达到18.2亿欧元。

5月25日消息，英伟达公布了截至2023年4月30日的2024财年第一财季财报。该公司第一财季营收为71.9亿美元，高于预期，同比下滑13%，环比增长19%。其中，数据中心业务营收达到创纪录的42.8亿美元，同比增长14%，环比增长18%；游戏业务营收为22.4亿美元，同比下降38%，环比增长22%；专业视觉化业务营收为2.95亿美元，同比下降53%，环比增长31%；汽车业务营收达到创纪录的2.96亿美元，同比增长114%，环比增长1%。如果按照美国通用会计准则(GAAP)计算，第一财季，该公司的净利润为20.43亿美元，同比增长26%，环比增长44%；摊薄后每股收益为0.82美元，同比增长28%，环比增长44%。

5月25日消息，小米发布Q1业绩，数据显示，小米Q1营收594.8亿元人民币，同比下降18.9%，环比下降9.9%，预估588.1亿元人民币；经调整净利润32.3亿元人民币，同比增长13.1%，环比增长121.3%，预估30亿元。针对哲库关停事件，在小米财报会议上，小米集团总裁卢伟冰表示，小米自研芯片的投入决心不会动摇，要充分意识到芯片投入的长期性、复杂性，尊重芯片行业的发展规律，做好持久战的准备，做长期奋斗10年、20年的准备；此外，芯片的目的是为了提升终端产品的竞争力、用户体验。

5月25日消息，亚德诺(ADI)公司公布了截至2023年4月29日的2023财年第二季度财务业绩。据报告，该季度ADI营收32.6亿美元同比增长10%，工业和汽车业务再创季度新高。

5月25日消息，龙营半导体宣布完成数千万元A轮融资。通过本次融资，龙营半导体将进一步加速其车用先进半导体技术的研发，扩展其产品组合，应用于ADAS及其相关的传感器模块。

5月25日消息，研究机构集邦咨询发布DRAM市场研报。2023年第一季度，全球DRAM芯片产业营收约为96.6亿美元，已连续三季度下跌，出货量方面仅有美光上升，其余均衰退。DRAM平均销售单价方面，三星、美光、SK海力士三大原厂均下跌。集邦咨询表示，目前市场供过于求的状况尚未改善，价格依旧持续下跌。在原厂陆续减产的背景下，DRAM下半年价格跌幅有望收窄，展望第二季度，虽然出货量有增加，但因价格走跌，预计的营收增长幅度有限。

5月25日消息，据日本半导体制造装置协会显示，日本4月芯片制造设备销售额3339.44亿日元，同比增长9.1%，环比下降0.4%。

5月25日消息，高华科技自研的扩散硅原理MEMS芯片已实现量产；SOI原理MEMS芯片正在进行初样验证，并准备于2023年底实现小批量试制，研发进展总体较为顺利。

5月25日消息，索尼将为其芯片业务收购日本熊本县约27公顷的土地。索尼将在此地建造其在熊本的第二家制造厂，并可能会投资数千亿日元。

5月26日消息，Marvell公布了2024财年第一季度的财务业绩。2024财年第一季度的净收入为13.22亿美元，比公司在2023年3月2日提供的指引的中点高出2200万美元。按GAAP标准，第一季度毛利率为42.2%。

5月26日消息，新思科技推出了ZeBu® Server 5硬件仿真系统，以应对复杂的十亿门级和多裸晶芯片系统在软件启动、功耗优化和调试等方面的挑战。与上一代产品相比，新思科技ZeBu Server 5的容量扩大了1.6倍，吞吐量和仿真性能各提升了2倍，而功耗却不到一半。

5月26日消息，继存储芯片减产后，由于代工服务需求不佳，三星电子计划在2023年第三季度减产晶圆。三星一直保持100%的晶圆产能至Q2，但在全球半导体产业不景气的情况下，晶圆代工订单也有所减少，不得不从Q3开始减产。三星计划从Q3开始，将其位于韩国华城园区的S3线的8nm和10nm工艺晶圆产量减少10%以上。据悉，华城S3线主要用于晶圆代工，已经采用极紫外(EUV)设备进行生产。 

5月26日消息，工信部副部长徐晓兰表示，要强化产业基础再造和重大技术装备攻关，加快核心基础零部件、核心基础元器件、先进基础工艺、关键基础材料、基础软件等方面的攻关突破，集聚力量突破智能芯片、算法框架、大模型等智能产业的“根”技术，加快和提升制造业创新中心的建设布局和质量，加强新型基础设施建设，夯实产业发展底座。

5月26日消息，北京微芯区块链与边缘计算研究院研发的新一代256核高性能区块链专用加速芯片正式发布。该芯片可应用于超大规模区块链算力集群，将全面支持建成后的国家区块链算力网络运行。

5月27日消息，美国和日本表示，两国将深化在先进芯片和其他技术研发方面的合作，包括在量子计算方面的合作和对人工智能的讨论。在一份联合声明中，两国同意在规划未来的技术合作时加强其研发中心之间的合作。

5月27日消息，中科蓝讯表示，2023年公司主推以下产品“讯龙三代”低功耗智能可穿戴SoC芯片，作为平台型产品,可适用于耳机、音箱、智能手表等终端设备，已经进入量产阶段,目前已积累一批意向客户；物联网芯片中第一代蓝牙控制SoC芯片工程样片已完成流片；多功能TYPE-C音频处理SoC升级芯片和第一代语音控制SoC芯片已完成流片，预计下半年进入量产阶段。

5月27日消息，香农芯创拟出资3500万元，与SK海力士、大普微电子等共同发起设立海普存储，香农芯创占比35%。新发起设立的海普存储主要从事企业级固态存储(SSD)产品的设计、生产和销售，在目前数字经济以及ChatGPT、人工智能大爆发的背景下，大模型、算力、存储将面临着巨大发展机遇。香农芯创与全球顶级存储企业SK海力士和国内领先的企业级SSD主控芯片设计龙头大普微合作，海普存储将迎来较好发展机遇。海普存储将作为香农芯创控股子公司，也将纳入合并报表。

5月27日消息，韩国第二大半导体代工服务商东部高科拆分了负责半导体芯片设计的IC事业部，其将作为独立法人实体DB GlobalChip运营。东部高科指出，此次拆分的重要原因是为了解决旗下产品同客户利益冲突的问题，为晶圆代工业务争取更多客户。

5月27日消息，高通公司公布了旗下第四代座舱芯片骁龙8295(SA8295)。相对此前新能源车企普遍使用的骁龙8155，骁龙8295进行了多方面升级。骁龙8295采用5nm工艺制程，AI算力达到30TOPS，相对此前骁龙8155(7nm)GPU整体性能提升2倍、3D渲染性能提升3倍，并增加了集成电子后视镜、机器学习视觉(后置、环视)、乘客监测以及信息安全等功能，一颗芯片可带11块屏。

5月27日消息，北京量子信息科学研究院发布了新一代量子计算云平台，并将其命名为“量子未来-QUAFU(夸父)”，其后端最高接入了136比特超导量子芯片，这是国内接入量子比特数最高的量子计算云平台。