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昂科烧录器软件_临时版本发布_V1.04.65t10(20210125)

2021-01-25

烧录器软件_临时版本发布_V1.04.65t8(20210122)

临时版本发布_V1.04.65t8(20210122)

2021-01-24

UFS 解决方案：高性能存储解决方案

深圳市昂科技术有限公司（股票代码：873207），专业的 IC 烧录器制造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器，以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用，适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。低功耗、高性能的可靠存储UFS 是一种专为需要最低功耗的智能手机与平板电脑等计算及移动系统设计的先进高性能接口。 eUFS...

2020-11-21

UFS 3.0读写测试数据曝光：秒杀UFS 2.1和eMMC

深圳市昂科技术有限公司，专业的 IC 烧录器制造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器，以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用，适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。 2018年1月，UFS 3.0正式发布。作为UFS 2.0和2.1的迭代升级产品，UFS 3.0在性能上带来了非常显著的提升和进步。不过，...

2020-11-21

NorFlash、NandFlash、eMMC闪存的比较与区别

快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：...

2020-11-21

NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点

非易失性存储元件有很多种，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前两者已经基本被淘汰了，因此我仅关注后两者，本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍，对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异，对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---浮栅场效应管　　NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮栅场效应管(Floati...

2020-11-21

浅谈 SSD，eMMC，UFS

这个时候发这篇文章难免有蹭热点的嫌疑。但作为一个计算机体系结构的研究生，在这些名词满天飞的时候，我的好奇心是抑制不住的，想一探这几样技术的究竟。本文不对某一特定事件进行点评，仅从技术角度分析对比一下这三种技术。就算是当做自己的技术储备+科普了。首先，这三种技术都是属于闪存（Flash Memory）的不同种类，区别主要在于控制器，接口标准以及更底层的 Flash 芯片标准。它们在...

2020-11-21

闪存Nand Flash存储结构浅析

NandFlash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，Page的大小一般为2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是读取和编程的基本单位，而擦除的基本单位是Block。图1 NAND Flash的存储结果NAND Flash的页，包含主区（Main Area）和备用区（Spare Area）两个域，“主区”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）个位，“备用区”中有16*8（或8*16）或64*8（或32*16）个位，这样每一页...

2020-11-21

剖析NAND Flash的编程结构

剖析NAND Flash的编程结构上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别，从结构及原理上看，NOR Flash这种类似ROM的结构方式，使得他编程简单，所以使用的工程师也很多，要不是成本太高，NAND Flash根本无法生存。NAND Flash由于价格低廉，存储容量大，越来越受到消费者的喜爱，特别是需要存储大量数据的消费者。那NAND Flash的编程又要注意哪些呢？分区（Partition）定义分区的实质是...

2020-11-21